Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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Nome do produto: | Óxido de alumínio | Fórmula química: | Al2O3 |
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Densidade: | 3,97 g/cm3 | Dureza: | 9 Mohs |
Parâmetros da estrutura: | = uns 4,758 Å c =12.99 Å | Coeficiente da expansão térmica (/℃): | 7,5 × 10^-6 |
Constantes dielétricas: | 9,4 @300K em uma linha central -11.58@ 300K em Caxis | Estrutura de cristal: | M6 |
Realçar: | Al2O3 Sapphire Wafer,Sapphire Substrate Wafer,Al2O3 único Crystal Substrate |
Óxido de alumínio Al2O3 único Crystal Substrate Sapphire Wafer da carcaça do filme fino
Introdução:
Al2O3 (óxido de alumínio) é uma carcaça superconducting excelente do filme fino. Este material tem muitas vantagens: boa garrafa térmica-estabilidade,
condutibilidade térmica alta, e dureza alta. Igualmente poderia ser usado em muitos outros campos como industrial, defesa e segurança e pesquisa científica.
Crystal Structure | M6 | Ponto de derretimento | 2040℃ |
Densidade | 3,98 g/cm3 | Polonês | Único lado/lado dobro lustrado |
Dureza | 9,0 (Mohs) | Reorientação a borda | 2° (especial em 1°) |
Parâmetros da estrutura | = uns 4,758 Å c =12.99 Å | Ra | ≤5Å (5µm×5µm) |
Orientação |
Um-plano <11-20> M-plano <10-10> R-plano<1-102> C-plano <0001> |
Tamanho |
5*5*0.5mm 10*10*0.5mm |
Pessoa de Contato: Chen Dongdong
Telefone: +86 18326013523
Fax: 86-551-63840588
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