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filme Epitaxial do semicondutor de 10mm x de 10mm x de 0.5mm que cresce o cristal de GGG

Certificado
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Certificações
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filme Epitaxial do semicondutor de 10mm x de 10mm x de 0.5mm que cresce o cristal de GGG

filme Epitaxial do semicondutor de 10mm x de 10mm x de 0.5mm que cresce o cristal de GGG
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Imagem Grande :  filme Epitaxial do semicondutor de 10mm x de 10mm x de 0.5mm que cresce o cristal de GGG

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Crystro
Certificação: ROHS
Número do modelo: 1GGG10*10*0.5-B
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 parte
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: caixa da caixa
Tempo de entrega: 3-4 semanas
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Habilidade da fonte: 100 PCes pela semana
Descrição de produto detalhada
Nome da produção: carcaça do ggg Fórmula química: Gd3Ga5O12
Parâmetro de Lattic: a=12.376Å Dimensões: 10mm x 10mm x 0.5mm
Densidade: 7.13g/cm3 Dureza de Mohs: 8,0
Ponto de derretimento: 1725℃ R.I.: 1,954 em 1064nm
Orientação: (111) Polonês: Um lado lustrou
Realçar:

Filme Epitaxial que cresce o cristal de GGG

,

Cristal Epitaxial do semicondutor GGG

,

Carcaça Epitaxial do semicondutor GGG


 

GGG carcaça de 10mm x de 10mm x de 0.5mm para o crescimento Epitaxial do filme do semicondutor

 

 

A carcaça de GGG, grandada do gálio do gadolínio (GGG) é carcaças dedicadas para o filme magnetoóptico. Em dispositivos de comunicação ótica, exija muito 1.3μ de utilização e o isolador 1.5μ ótico, seu componente do núcleo é o YIG ou o filme GRANDE colocado em um campo magnético. As únicas carcaças de cristal de GGG de tangencial diferente, que pode conseguir o melhor fósforo da estrutura com este material magnetoóptico, assim assegurando o YIG, crescimento epitaxial do filme GRANDE sejam bem sucedidas.
GGG tem boas propriedades físicas e mecânicas e a estabilidade química. GGG é o melhor material da carcaça para isoladores feitos da micro-ondas.

 

 

Vantagens principais:

 

Grandes dimensões, 2,8 a 76mm.

Baixas perdas óticas (<0>

Condutibilidade térmica alta (7.4W m-1K-1).

Ponto inicial de dano alto do laser (>1GW/cm2)

 

 

Propriedades principais:

 

Fórmula química Gd3GA5O12
Parâmetro da estrutura a=12.376Å
Método do crescimento Czochralski
Densidade 7.13g/cm3
Dureza de Mohs 8,0
Ponto de derretimento 1725℃
R.I. 1,954 em 1064nm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CRYSTRO pode oferecer:

 

Orientação [111] dentro do minuto do arco ±15
Onda Front Distortion <1>
Tolerância do diâmetro ±0.05mm
Tolerância do comprimento ±0.2mm
Chanfradura º de 0.10mm@45
Nivelamento <1>
Paralelismo < 30="" arc="" Seconds="">
Perpendicularity < 15="" arc="" min="">
Qualidade de superfície 10/5 de risco/escavação
Abertura clara >90%
Grandes dimensões dos cristais 2.8-76 milímetros no diâmetro
 

Imagem do produto:

filme Epitaxial do semicondutor de 10mm x de 10mm x de 0.5mm que cresce o cristal de GGG 0

 

 

Contacto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Chen Dongdong

Telefone: +86 18326013523

Fax: 86-551-63840588

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