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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Fórmula química: | Ce: Gd3Al2Ga3O12 | método do crescimento: | Czochralski |
|---|---|---|---|
| Densidade: | 6.63g/cm3 | Ponto de derretimento: | 1850℃ |
| Rendimento claro: | >50000 (fotão/MeV) | Pico da emissão: | 520 nanômetro |
| Definição de energia: | <6> | Hygroscopic: | NÃO |
| Realçar: | único cristal de 520nm GAGG,Ce: Gd3Al2Ga3O12,Único cristal da cintilação GAGG |
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Ce: O cristal de GAGG tem as características do alto densidade, do transmitância alto, do grande número atômico eficaz, do rendimento claro alto, do tempo de deterioração rápido, da boa definição de energia, e de propriedades físicas e químicas estáveis. Comparado com os materiais de cristal da cintilação tradicional, o desempenho detalhado é mais excelente, e o preço e as vantagens ambientais são extremamente altos. Tem uma vasta gama de aplicações nos campos do equipamento médico do CT e do PET/CT, da inspeção da segurança, da física do de alta energia, da física nuclear, etc.
| Propriedade | Valor |
|---|---|
| Fórmula química | Ce: Al2 GA3 O12 de Gd3 |
| Número atômico (eficaz) | 54,4 |
| Método do crescimento | Czochralski |
| Densidade | 6.63g/cm3 |
| Dureza de Mohs | 8 |
| Ponto de derretimento | 1850℃ |
| Coeficientes da expansão térmica. | TBA x ⁶ de 10 ‾ |
Pessoa de Contato: Zheng
Telefone: +86 18255496761
Fax: 86-551-63840588
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