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Interruptor ótico do EO Q da pilha dos sistemas Pockels do laser eletro

Certificado
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Certificações
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Interruptor ótico do EO Q da pilha dos sistemas Pockels do laser eletro

Interruptor ótico do EO Q da pilha dos sistemas Pockels do laser eletro
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Imagem Grande :  Interruptor ótico do EO Q da pilha dos sistemas Pockels do laser eletro

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CHINA
Marca: Crystro
Certificação: SGS
Número do modelo: CRQSW-9
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: Caixa limpa transparente
Tempo de entrega: 3-4 semanas
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Habilidade da fonte: 100 PCes pela semana
Descrição de produto detalhada
Nome do produto: LGS EO Q-switch Crystal Material: Langasite
Densidade: 5,75 g/cm3 Ponto de derretimento: °C 1470
R.I.: 1,89 Deliquescência: Não
Resistividade: 1.7×1010 Ω·cm estrutura: Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Realçar:

Eletro interruptor ótico do EO Q

,

Interruptor do EO Q da pilha de Pockels

,

Interruptor da pilha Q de Pockel


 

 

 

 

Pilha Eletro-ótica alta de Pockels do Q-interruptor do ponto inicial de dano (EO) para sistemas do laser

 

 

 

 

O cristal de LGS tem uma vasta gama de aplicações: Além do que o efeito piezoelétrico e o efeito da rotação ótica, seu desempenho eletro-ótico do efeito é igualmente muito superior. A taxa alta da repetição, a grande abertura clara de seção transversal, a largura de pulso estreita, o poder superior, a temperatura do alto e baixo, os interruptores eletro-óticos de cristal etc. LGS Q são aplicáveis. Nós usamos o coeficiente eletro-ótico γ11 do cristal de LGS para fazer Q-interruptores e escolher um prolongamento maior reduzir a tensão de meia onda dos Q-interruptores. Pode ser aplicada ao Q-interruptor eletro-ótico de lasers do todo-contínuo-estado com taxas da repetição de um poder mais alto.

 

 

Características:

  • LGS - Q-interruptor baseado (pilha de Pockels);
  • Para os comprimentos de onda até 3.2μm;
  • Distorção transmitida do Wavefront: < l="">
  • Ponto inicial de dano: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns, típicos, não garantida);
  • LGS disponível para sistemas de energia médios, para ocorrer parcialmente de DKDP e de LiNbOQ-interruptores de3 séries.

 

Propriedades principais:

 

Fórmula química La3Ga5SiQ14
Crystal Structure Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Densidade 5,75 g/cm3
Ponto de derretimento °C 1470
Escala da transparência 242 - 3200 nanômetro
R.I. 1,89
Coeficientes Eletro-óticos γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Resistividade 1.7×1010 Ω·cm
Deliquescência Não
Coeficientes da expansão térmica α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-linha central); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-linha central)

 

 

Detalhes do produto:

Interruptor ótico do EO Q da pilha dos sistemas Pockels do laser eletro 0

Contacto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Zheng

Telefone: +86 18255496761

Fax: 86-551-63840588

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