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BAW VIU o cristal do silicato LGS do gálio do lantânio dos dispositivos

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Certificado

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. Certificações

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BAW VIU o cristal do silicato LGS do gálio do lantânio dos dispositivos

Name: BAW VIU o cristal do silicato LGS do gálio do lantânio dos dispositivos
Brand: Crystro
SKU: CRLGS-3
Rating: 4.6 (143 reviews)

Imagem Grande : BAW VIU o cristal do silicato LGS do gálio do lantânio dos dispositivos

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	CHINA
Marca:	Crystro
Certificação:	ISO9001
Número do modelo:	CRLGS-3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	Negotiable
Detalhes da embalagem:	Caixa limpa transparente
Tempo de entrega:	3-4 semanas
Termos de pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100 PCes pela semana

Contato

Descrição de produto detalhada

NOME:	Silicato (LGS) do gálio do lantânio	Fórmula química:	La3Ga5SiO14
método do crescimento:	Czochralski	Dureza:	6,6 Moh
Densidade:	5,754 g/cm3	Ponto do derretimento:	1470℃
coeficiente da Térmico-expansão:	α 33=3.61 do α 11=5.10	Velocidade acústica, SERRA:	2400 (m/sec)
Constante da frequência, BAW:	1380 (kHz/mm)	Coeficiente da frequência da temperatura:	1.6х10-5
Realçar:	Cristal dos dispositivos LGS de BAW , cristal do silicato do gálio do lantânio 5 , 754 g/cm3

Silicato do gálio do lantânio dos materiais de Pezoelectric (LGS) Crystal For BAW e dispositivos da SERRA

Introdução:

Langasite - La₃GA₅SiO₁₄, éumcristalpiezoelétricodafamília quedogallogermanate.itécristalpiezoelétriconovoeexcelenteparaBAWeVIU queosdispositivosdevidoaseucharacteristics.LGSespectroscópicaeacústicoexcelenteigualmentepodemser usadoscomoumcristaleletro-ótico. O Q-interruptoreletro-óticofeitoporLGSérealmenteumtiponovodo Q-interruptorrotação-eletro-ótico. Devidoaoefeitodarotaçãoótica, podeser usadocomouminterruptorpráticoeumbomresultadoda Q-modulaçãopodeser obtido.

Appliaction principal:

Q-interruptor Eletro-ótico
Dispositivo de /BAW do dispositivo da SERRA
Sensor
Taxa alta da repetição do poder superior todo o laser em estado sólido
Laser da mudança de temperatura do alto e baixo

Propriedades materiais:

Crystal Structure	sistema do rigonal, a= 8,1783 do grupo 33 c = 5,1014
Método do crescimento	Czochralski
Dureza	6,6 Moh
Densidade	5,754 g/cm3
Ponto do derretimento	o 1470 C (ponto de transição da fase: N/A)
Expansão térmica (x10-6/OC)	α 11: 5,10 α 33: 3,61
Velocidade acústica, SERRA	2400 (m/sec)
Constante da frequência, BAW	1380 (kHz/mm)
Acoplamento piezoelétrico	K2 (%) BAW: 2,21 SERRA: 0,3
Constante dielétrica	ε11/ε0=18.27 ε33/ε0=56.26
Constante de tensão piezoelétrica	d11=6.3 d14=5.4
Inclusões	N0

BAW VIU o cristal do silicato LGS do gálio do lantânio dos dispositivos 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Zheng

Telefone: +86 18255496761

Fax: 86-551-63840588

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